[포인트데일리 이준 기자] SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 차세대 노광 장비인 'High NA EUV(극자외선)'를 이천 M16 팹에 반입했다고 3일 밝혔다.

SK하이닉스에 따르면 High NA EUV는 기존 EUV 대비 더 큰 개구수(NA)를 적용해 해상도를 높인 장비로, 현존 가장 미세한 회로 패턴 구현이 가능하다. 선폭 축소와 집적도 향상에 핵심적인 역할을 할 것으로 기대된다.

이번에 도입한 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'로, NA 0.55 광학 기술을 적용해 기존 EUV(NA 0.33)보다 40% 향상된 성능을 제공한다. 이를 통해 1.7배 정밀한 회로 형성과 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

이날 이천캠퍼스에서 열리는 행사에는 김병찬 ASML코리아 사장, 차선용 SK하이닉스 부사장(미래기술연구원장, CTO), 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석한다.

SK하이닉스는 "치열한 글로벌 반도체 경쟁 환경에서 고객 니즈에 부응하는 첨단 제품을 신속하게 개발하고 공급할 수 있는 기반을 마련하게 됐다"며 "파트너사와의 긴밀한 협력을 통해 글로벌 반도체 공급망의 신뢰성과 안정성을 더욱 강화하겠다"고 밝혔다.

회사는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램 공정에 처음 EUV를 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 활용을 확대해 왔다. 하지만 미래 시장이 요구하는 극한 미세화와 고집적화를 위해서는 기존 EUV 장비를 넘어서는 차세대 기술이 필요하다는 설명이다.

차선용 CTO는 "이번 장비 도입으로 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 개발해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 말했다.

김병찬 ASML코리아 사장도 "High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술"이라며 "SK하이닉스와 협력해 차세대 메모리 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다"고 강조했다.